Можно приблизительно оценить то внутреннее давление, которое «взрывает» цилиндр, заполненный положительными зарядами, расположенными вдоль траектории осколка. Допустим для простоты, что все ионы цилиндра несут один положительный заряд. Значит, они отталкиваются с силой F ? e 2/a 2 (a — межатомное расстояние). Если эту силу отнести к площади a 2 , приходящейся на один атом в решетке, мы получим интересующую нас оценку давления: Р ? е 2/a 4 . Так как е = 4,8• 10-10 г-1/2 •см3/2/с, a = 3•10-8 см, то Р ? 1011 дин/см2. Мы получили давление огромное, безусловно достаточное, чтобы взрыв произошел и трек образовался! Здесь необходимо оправдать осторожность, подчеркнутую в одной из предыдущих фраз. Она обусловлена тем, что не обязательно все ионы вдоль цилиндрического канала окажутся задетыми пролетавшим осколком. В этом случае расстояние между отталкивающимися ионами l будет больше, чем a. По этой причине величина Р, которая ~ 1/l 4 , может оказаться малой, недостаточной для взрыва. У читателя возникает недоумение: ведь осколок и в металле может разбросать электроны, и в металле может возникнуть цилиндрический сгусток положительного заряда, и в металле этот сгусток может взорваться. Оказывается, что образоваться такой цилиндр действительно может, а вот взорваться попросту не успеет, так как электроны, удаленные из цилиндра, из-за их большой подвижности возвратятся в цилиндр, нейтрализуют в нем заряд, а следовательно, устранят причину взрыва. Подвижность электронов в металле несравненно больше, чем в ионном кристалле, именно поэтому в металле взрыв не успеет произойти. Если в ионном кристалле все происходит так, как мы это себе представили и описали в очерке, на интересующий нас вопрос применительно к ионному кристаллу ответ будет положительным: осколку в ионном кристалле создать трек суждено! В рассмотренных нами предельных ситуациях — металл и ионный кристалл — проблема «суждено ли?» прояснилась. А вот в иных структурах дело обстоит много сложней, и проблема остается проблемой. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И ВЗАИМОПРЕВРАЩЕНИЕ ДЕФЕКТОВДо сих пор в очерках этой главы шла речь о «заселении» кристалла дефектами. В заключение главы поглядим на кристалл с иной точки зрения. Пусть он — не вместилище дефектов, а плацдарм их взаимодействия. Из общих соображений ясно, что не может не быть взаимодействия между дефектами. Кристалл, содержащий дефекты, будет стремиться к уменьшению энергии, связанной с ними. Если по какой-либо причине прямое, решение проблемы, состоящее в том, чтобы избавиться от дефектов, кристаллу недоступно, происходить будет другое: содержащиеся в нем дефекты будут взаимодействовать и превращаться так, чтобы их энергия уменьшилась. — 110 —
|