|
Еще один главный фактор – геометрическая симметрия создающейся кристаллической структуры. Например, бинарное соединение четырех двухвалентных элементов (RX) вероятнее, чем соединение четырехвалентного и трехвалентного элементов (R3X4). Влияние обоих факторов вероятности ярко выражено в Делении II, где смещения, соответствующие нормальной валентности, обладают относительно высокими величинами 5 или больше. Отсюда, в этом Делении такая валентность используется лишь в ограниченной степени и обычно заменяется одной из альтернативных валентностей. Поскольку основное требование к образованию химического соединения – нейтрализация отрицательного электрического смещения, альтернативные, положительные валентности – это результаты разных способов ориентации вращения атома с целью достижения действующего положительного смещения. Ввиду того, что каждый вид валентности соответствует определенной ориентации, последующее обсуждение будет проходить в терминах валентности, и в каждом случае будет подразумеваться наличие соответствующей ориентации. Преобладающая валентность Деления III основывается на балансировании смещения 8 – x (положительного из-за переворота нулевой точки) со смещением отрицательного компонента. Результирующее относительное смещение равно 8, что, как объяснялось раньше, эквивалентно нулю. Мы будем называть его нейтральной валентностью. Нейтральная валентность играет важную роль в соединениях элементов Деления IV. В верхней части Делении III члены групп 4А и 4В не могут пользоваться нейтральной валентностью 8 – x потому, что у этих элементов величины 8 – x меньше нуля, и, следовательно, незначимы. Такие элементы образуют соединения на основании следующего более высокого эквивалента нулевого смещения. Между уровнем 8 – x и следующим эквивалентом нуля имеются две действующие первичные единицы движения и 8-единичное приращение. Таким образом, в этой точке общее действующее смещение равно 18, а вторичная, нейтральная валентность равна 18 – x. Типичными сериями соединений, пользующихся этой валентностью, являются окиси элементов группы 4А Деления III - HfO2, Ta2O5, WO3, Re2O7 и OSO4. Соображения симметрии благоприятствуют балансированию двух электрических смещений и, если позволяют условия, сведению их к необходимому равновесию пространства-времени. Но если электрическая ориентация в целом сталкивается с трудностями, в межатомном равновесии может играть положительную роль одно из магнитных вращений. Магнитные валентности, использующиеся в магнитно-электрических ориентациях – самая обычная основа комбинаций в Делении II, где положительные валентности высокие, а нейтральные исключены потому, что смещение 8 – x отрицательное. Если позволяют соображения вероятности, магнитные валентности появляются и в трех других делениях. — 197 —
|